JFETs - Texas Instruments - Дистрибьютор электронных компонентов

Производитель

Panasonic Electronic Components

National Semiconductor

Renesas Electronics Corporation

Diodes Incorporated

Microchip Technology

Toshiba Semiconductor and Storage

Microsemi Corporation

Texas Instruments

Infineon Technologies

Central Semiconductor Corp

Nisshinbo Micro Devices Inc.

Rochester Electronics, LLC

Qorvo

NTE Electronics, Inc

Solid State Inc.

Linear Integrated Systems, Inc.

InterFET

NTE Electronics, Inc

Intersil

Precision Monolithics

Harris Corporation

Fairchild Semiconductor

NEC Corporation

Sanyo

Linear Technology

Advanced Micro Devices

Burr Brown

Motorola

продукты

1 / 82 Страницы，Всего 980 Данные Предыдущая страница | Следующая страница

Номер запчасти	Производитель	Описание	Запасы	Количество	Упаковка	Статус	Подробности
TL072CDR	Texas Instruments	IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8SOIC	47500	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Подробности
TL072IDR	Texas Instruments	IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8SOIC	6109	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Подробности
TL082IDR	Texas Instruments	IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8SOIC	12500	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Подробности
TL074CDR	Texas Instruments	IC OPAMP JFET 4 CIRCUIT 14SOIC	110650	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Подробности
TL072ACDR	Texas Instruments	IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8SOIC	15000	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Подробности
LF347DR	Texas Instruments	IC OPAMP JFET 4 CIRCUIT 14SOIC	35000	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Подробности
TL072CP	Texas Instruments	IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8DIP	2534	RFQ	Tube	Active	Подробности
TL082CP	Texas Instruments	IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8DIP	1742	RFQ	Tube	Active	Подробности
LF356N/NOPB	Texas Instruments	IC OPAMP JFET 1 CIRCUIT 8DIP	20870	RFQ	Tube	Active	Подробности
LF353M/NOPB	Texas Instruments	IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8SOIC	9733	RFQ	Tube	Active	Подробности
OPA810IDCKR	Texas Instruments	IC OPAMP JFET 1 CIRCUIT SC70-5	6000	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Подробности
LF411CP	Texas Instruments	IC OPAMP JFET 1 CIRCUIT 8DIP	10415	RFQ	Tube	Active	Подробности

1 / 82 Страницы，Всего 980 Данные

JFETs

Транзисторы с эффектом поля (JFET) являются устройствами, используемыми в качестве электронных переключателей управления, усилителей или сопротивления сжатия. Разница потенциала, наложенная на соответствующий полюс между полем и источником, увеличивает сопротивление току, что означает, что меньше тока будет течь в канаве между полем источника и полем утечки. Поскольку заряд течет через полупроводниковые каналы между источниками и терминами утечки, JFETs не нуждаются в смещенном токе.